강대원

서울에서 태어난 강대원은 훗날 MOSFET 및 플로팅 게이트 비휘발성 반도체 기억장치를 최초로 개발하여 현대 반도체 산업의 기반을 마련한 세계적인 반도체 물리학자이자 발명가가 됩니다.

오하이오 주립대학교에서 성장중인 산화층을 통과하여 실리콘에 불순물을 확산시키는 연구로 박사 학위를 받았으며, 같은 해 1959년부터 미국의 명문 연구기관인 벨 연구소에서 근무를 시작하며 본격적인 반도체 연구자의 길을 걸었습니다.

기존 트랜지스터의 한계를 극복하고 전력 소모가 적고 소자를 작게 만들 수 있는 MOSFET을 마틴 아탈라와 공동으로 세계 최초 개발했습니다. 이 원천 기술은 이후 반도체가 대량 생산이 가능한 거대 산업으로 성장하는 기반이 되었으며, 현재 컴퓨터, 휴대폰 등의 핵심 부품인 CPU, D램 등의 개발로 이어졌습니다.

기존 반도체의 전원 차단 시 데이터 소멸 문제를 해결하기 위해, MOSFET 위에 산화물 박막과 게이트를 쌓은 형태의 플로팅 게이트 기술을 세계 최초로 개발했습니다. 이 기술은 향후 플래시메모리, EP롬, EEP롬 등 대용량 기억저장매체 개발의 기술적 토대가 되어 전자통신 산업 발전에 크게 기여했습니다. 관련 논문은 현재까지도 주요 업적으로 인용되고 있습니다.

1988년, 약 30년간 재직하며 수많은 업적을 남긴 벨 연구소를 은퇴하고, 같은 해 미국 뉴저지주에 새로 설립된 NEC연구소의 초대 소장으로 부임하여 새로운 연구기관을 이끌게 되었습니다. 또한 국제전기전자공학자협회(IEEE) 펠로우로 선정되며 그의 학술적 권위를 다시 한번 입증했습니다.

1992년 5월 13일, 학술대회를 마친 후 뉴저지 인근 공항에서 대동맥 동맥류 파열로 쓰러져 응급 수술을 받았으나 합병증으로 인해 안타깝게도 별세했습니다.

2009년, 그가 기여한 트랜지스터 발명 60주년을 기념하여 미국 상무부 산하 특허청의 발명가 명예의 전당(National Inventors Hall of Fame)에 헌액되었습니다. 그는 562명의 세계 유수 발명가들 중 유일한 한국인으로 기록되며 기념비적인 인물로 국제적인 인정을 받았습니다.